[发明专利]提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法

摘要

本发明公开了一种提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法，包括以下步骤，将隧穿氧/多晶硅钝化接触结构直接进行中低温热处理，或者首先在隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的掺杂硅薄层表面沉积一层氧化物膜，然后进行中低温热处理；本发明方法既能够使钝化接触结构达到良好的钝化效果，又能使不同钝化水平的隧穿氧/多晶硅钝化接触结构钝化性能得到提升；处理方法多样化，重复性强，所需设备简单，其工艺完全适用于TOPCon电池的背钝化。