[发明专利]一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201811215433.3 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109494305A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张青红;张歆;李耀刚;王宏志;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法，包括：(1)将供体A和供体B加入溶剂中，搅拌，得到浓度为1～1.5M的钙钛矿前驱体溶液；(2)将步骤(1)制得的钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，同时滴加反溶剂，得到亚稳定的中间相薄膜；其中钙钛矿前驱体溶液和反溶剂的体积比为1:1～3；(3)将步骤(2)制得的中间相薄膜在60～80℃下退火处理，即得。利用该方法可实现钙钛矿的低温成膜，制得的钙钛矿薄膜更加均匀致密而且晶粒明显增大；利用该钙钛矿薄膜制得的柔性钙钛矿太阳能电池的光电转换效率得到明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 钙钛矿薄膜 前驱体溶液 低温制备 大晶粒 反溶剂 供体 薄膜 预处理 光电转换效率 晶粒 太阳能电池 低温成膜 均匀致密 退火处理 导电基 体积比 亚稳定 溶剂 滴加 旋涂 | ||
【主权项】：
1.一种低温制备大晶粒钙钛矿薄膜的方法，包括：(1)将供体A和供体B加入溶剂中，搅拌，得到浓度为1～1.5M的钙钛矿前驱体溶液；其中供体A与供体B的摩尔比为1:1～2；(2)将步骤(1)制得的钙钛矿前驱体溶液旋涂在预处理后的导电基底上，同时滴加反溶剂，得到亚稳定的中间相薄膜；其中钙钛矿前驱体溶液和反溶剂的体积比为1:1～3；(3)将步骤(2)制得的中间相薄膜在60～80℃下退火处理，得到平均粒径为250～500nm的大晶粒钙钛矿薄膜。
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