[发明专利]调平装置及调平方法、半导体处理设备有效
申请号: | 201811215894.0 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN111074238B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 王帅伟;兰云峰;王勇飞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置,用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节,其包括调平工装,调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部;其中,水平安装部的下表面用于与腔室的上表面贴合,竖直安装部的下表面与支撑件的安装面贴合,以使得基座与腔室的平行度满足预设要求,竖直连接部贯穿于腔室的安装孔中,竖直连接部的外周壁与安装孔的内周壁相配合,使得基座与腔室的同轴度满足预设要求。采用调平工装对基座与腔室进行调平、调对中,可以极大简化基座调平调对中的工艺,并且还能够极大地提高基座的安装精度,从而可以有效保证成膜均匀性,提高工艺良率。 | ||
搜索关键词: | 平装 平方 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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