[发明专利]一种晶圆的清洗方法、装置、设备、介质及电子设备在审
| 申请号： | 201811215937.5 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN111081586A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈琦南 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种晶圆的清洗方法、装置、设备、介质及电子设备，包括：向混液槽供给去离子水和显影液；去离子水和显影液在混液槽中进行混合，获得混合液以及混合液的pH值；基于混合液的pH值分别控制去离子水和显影液向混液槽供给的流量，获得预设pH值的混合液；将预设pH值的混合液向晶圆输送清洗晶圆。本发明实施例的技术方案能够在去离子水的路径中加入显影液，并加上自动流量控制阀，在去离子水清洗流程中利用流量比例控制加入显影液来降低酸碱震荡的影响，将清洗液从13.2逐渐降至7，而不会产生瞬间的变化，解决了晶圆的卫星状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 装置 设备 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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