[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201811217215.3 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110196820B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李周映 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0866 | 分类号： | G06F12/0866 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括存储器单元阵列、页面缓冲器、高速缓存缓冲器和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。页面缓冲器感测存储器单元阵列中所选择的页面的数据。高速缓存缓冲器临时存储由页面缓冲器感测的数据。控制逻辑控制页面缓冲器和高速缓存缓冲器的操作，以读取存储在存储器单元阵列中的数据。控制逻辑基于半导体存储器装置的高速缓存‑正常状态来控制页面缓冲器和高速缓存缓冲器的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块；页面缓冲器，其感测所述存储器单元阵列中的所选择的页面的数据；高速缓存缓冲器，其临时存储由所述页面缓冲器感测的所述数据；以及控制逻辑，其控制所述页面缓冲器和所述高速缓存缓冲器的操作以读取存储在所述存储器单元阵列中的数据，其中所述控制逻辑基于所述半导体存储器装置的高速缓存‑正常状态来控制所述页面缓冲器和所述高速缓存缓冲器的操作。
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