[发明专利]一种检测闪存器件耦合率的器件及其制作方法

摘要

本发明提出一种检测闪存器件耦合率的器件制作方法，包括：在衬底上形成浅槽隔离和闪存单元的有源区，测试的单个浮栅器件引出的一侧有源区靠近引出端的尺寸变大；在衬底上形成阱区；在阱区域上方形成隧穿栅氧化层；在隧穿栅氧化层上方形成浮栅；对浮栅进行回刻蚀，增加耦合率；在浮栅上方形成浮栅介质层和控制栅，测试的单个浮栅器件引出的一侧有源区上方的控制栅靠近引出端的尺寸变大；对控制栅进行刻蚀，刻蚀出浮栅引出端，在测试的单个浮栅器件引出的一侧有源区上方去除控制栅；形成源漏极和侧墙结构；随后完成硅金化以及后续其它工艺过程，形成最终结构。本发明不用增加额外的模板或者光照就能实现对于浮栅结构器件的高准确性测试。

主权项

1.一种检测闪存器件耦合率的器件制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在衬底上形成浅槽隔离，以及闪存单元的有源区，所要测试的单个浮栅器件要引出的一侧结构的有源区，其靠近引出端的尺寸大于连接于浮栅器件一端的尺寸；在上述衬底上形成阱区；在上述阱区域上方形成隧穿栅氧化层；在上述隧穿栅氧化层上方形成浮栅；对浮栅进行回刻蚀，增加耦合率；在上述浮栅上方分别形成浮栅介质层，以及控制栅，所要测试的单个浮栅器件要引出的一侧结构的有源区上方的控制栅，其靠近引出端的尺寸大于连接于浮栅器件一端的尺寸；对控制栅进行刻蚀，同时刻蚀出浮栅引出端，在所要测试的单个浮栅器件要引出的一侧结构的有源区上方去除控制栅；在上述结构上形成源漏极，以及侧墙结构；随后完成硅金化以及后续其它工艺过程，形成最终结构。