[发明专利]磁场传感器装置及测量外部磁场的方法在审
| 申请号： | 201811219531.4 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109696559A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | D·哈默施密特;H·科克;A·蒙特拉斯特利;T·沃斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P3/488 | 分类号： | G01P3/488;G01P3/487;G01B7/00;G01B7/30;G01D5/249;G01D5/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及一种磁场传感器装置400，包括传感器壳体410、布置在传感器壳体410中的第一传感器芯片420‑1，其具有集成的第一差分磁场传感器电路；和布置在传感器壳体410中的第二传感器芯片420‑2，其具有集成的第二差分磁场传感器电路。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器壳体 磁场传感器电路 磁场传感器装置 芯片 第二传感器 第一传感器 外部磁场 测量 | ||
【主权项】：
1.一种磁场传感器装置(400)，包括：传感器壳体(410)；布置在所述传感器壳体(410)中的第一传感器芯片(420‑1)，所述第一传感器芯片(420‑1)具有集成的第一差分磁场传感器电路；和布置在所述传感器壳体(410)中的第二传感器芯片(420‑2)，所述第二传感器芯片(420‑2)具有集成的第二差分磁场传感器电路。
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