[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201811219747.0 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN110277413B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 刘铭棋;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/15;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本揭露涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一些实施例揭示一种半导体装置,其包含衬底、装置的群组、多个侧壁隔片及接触结构。所述装置的所述群组布置于所述衬底上方。所述多个侧壁隔片在所述装置的所述群组的侧向表面上方。所述侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置之间的封闭区。所述接触结构在所述装置之间布置于所述封闭区中。所述接触结构电连接到所述装置的所述群组中的一个装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:衬底;布置于所述衬底上方的装置的群组;所述装置的所述群组的侧向表面上方的多个侧壁隔片,其中所述侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置的所述群组之间的封闭区;及在所述装置之间布置于所述封闭区中的接触结构,其中所述接触结构电连接到所述有源装置的所述群组中的一个装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的