[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811219747.0 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN110277413B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 刘铭棋;蔡嘉雄 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L27/15;H01L21/768
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蒋林清
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本揭露涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一些实施例揭示一种半导体装置,其包含衬底、装置的群组、多个侧壁隔片及接触结构。所述装置的所述群组布置于所述衬底上方。所述多个侧壁隔片在所述装置的所述群组的侧向表面上方。所述侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置之间的封闭区。所述接触结构在所述装置之间布置于所述封闭区中。所述接触结构电连接到所述装置的所述群组中的一个装置。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:衬底;布置于所述衬底上方的装置的群组;所述装置的所述群组的侧向表面上方的多个侧壁隔片,其中所述侧壁隔片彼此邻接且协作地界定所述装置的所述群组之间的封闭区;及在所述装置之间布置于所述封闭区中的接触结构,其中所述接触结构电连接到所述有源装置的所述群组中的一个装置。
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