[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811219748.5 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109841614A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周学志;涂家豪;董祥厚;鲁立忠;田丽钧;江庭玮;庄惠中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一些实施例揭露一种半导体结构。所述半导体结构包含：第一标准单元；和第二标准单元；其中沿着第一方向的所述第一标准单元的单元宽度大体上相同于沿着所述第一方向的所述第二标准单元的单元宽度，且沿着垂直于所述第一方向的第二方向的所述第一标准单元的单元高度大体上大于沿着所述第二方向的所述第二标准单元的单元高度。 | ||
| 搜索关键词： | 标准单元 半导体结构 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：第一标准单元，其包含布置于其中的多个栅极条带；和第二标准单元，其包含布置于其中的多个栅极条带；其中沿着第一方向的所述第一标准单元的单元宽度大体上相同于沿着所述第一方向的所述第二标准单元的单元宽度；且其中所述第一标准单元的所述单元宽度是根据布置于所述第一标准单元中的所述栅极条带的数目而确定，且所述第二标准单元的所述单元宽度是根据布置于所述第二标准单元中的所述栅极条带的数目而确定；且所述第一标准单元或所述第二标准单元的可驱动性取决于沿着垂直于所述第一方向的第二方向的所述第一标准单元或所述第二标准单元的对应单元高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811219748.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
