[发明专利]IPMC材料的制备方法、其中间体的制备方法、IPMC材料有效

专利信息
申请号: 201811220201.7 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109338422B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 常龙飞;杨倩;牛清正;李超群;吴玉程;何青松;胡颖;吕品 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C25D3/48 分类号: C25D3/48;C25D5/56
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 王亚洲
地址: 242000 安徽省宣城市经济技*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种IPMC材料的制备方法,包括以下步骤:基体膜糙化处理发生在基体膜进行第一次离子交换处理之后以及基体膜进行第一次还原处理之前。本发明还公开了一种IPMC材料的中间体制备方法、一种采上述的IPMC材料的制备方法制备的IPMC材料。本发明具有实现增强电极与基体膜之间的附着力,增加渗入电极的深度以及改善渗入电极的形貌,从而进一步提高IPMC材料的电化学性能和机电性能的优点。
搜索关键词: ipmc 材料 制备 方法 中间体
【主权项】:
1.一种IPMC材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:基体膜糙化处理发生在基体膜进行第一次离子交换处理之后以及基体膜进行第一次还原处理之前。
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