[发明专利]半导体器件及其制造方法和测试方法在审
| 申请号： | 201811224706.0 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111081677A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 胡滨 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体器件、半导体器件的制造方法和测试方法。该半导体器件可以包括晶圆、划片道和多个时钟倍频电路；划片道相互垂直分布将晶圆分隔成若干芯片；多个时钟倍频电路设于划片道，其输出端与芯片连接。可以提供与芯片时钟频率一致的高频时钟，同时又不影响芯片的性能，功耗与面积；简化芯片的wafer级测试方案设计。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 测试 | ||
【主权项】：
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