[发明专利]多元素原位共掺杂三元材料前驱体及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种多元素原位共掺杂三元材料前驱体及其制备方法和应用。该前驱体的化学式为：(NixCoyMnz)1‑a‑cMaNc(OH)2+k，其中0.65x≤0.9，0y≤1/3，0z≤1/3，x+y+z＝1，0.0001≤a≤0.01，0.0001≤c≤0.01；掺杂离子M的半径与锂离子接近，选自Mg2+、Zr4+、Nb5+、Ta4+、In3+、Sc3+、Y3+、Ce4+、Gd3+一种或多种；掺杂离子N的半径与三元材料中的金属离子锰和钴的半径接近，选自Ti4+、W6+一种或多种。本发明在制备三元材料前驱体的过程中，原位引入两类不同离子半径的金属离子，使掺杂金属离子均匀分布于前驱体体相中，实现了原子级别的均匀混合。两类不同半径的金属离子，进行不同位置的掺杂，晶胞参数协同变化，即能扩大锂离子传输的通道，又能使三元材料保持良好的晶格结构，从而获得具有优异电化学性能的三元材料。

主权项

1.一种多元素原位共掺杂三元材料前驱体，其化学式为：(NixCoyMnz)1‑a‑cMaNc(OH)2+k，其中1/3≤x≤0.9，0

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