[发明专利]在用于原位测量的传感器晶片上的抗蚀涂层有效

专利信息
申请号: 201811226232.3 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN109346394B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: A·恩古耶;F·曲利;M·孙;R·文卡特杉 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种传感器晶片可配置成在蚀刻过程期间原位测量参数。该传感器晶片可包括衬底、覆盖物以及位于衬底和覆盖物之间的一个或多个组件。抗蚀涂层被形成在覆盖物和/或衬底的一个或多个表面上。涂层被配置成抵抗因蚀刻过程,该蚀刻过程蚀刻覆盖物和/或衬底的时间比具有与保护涂层相同或更大厚度的标准薄膜材料更长。
搜索关键词: 用于 原位 测量 传感器 晶片 涂层
【主权项】:
1.一种传感器晶片,包括:衬底;附加于所述衬底的覆盖物;形成在所述覆盖物的背侧上的一个或多个组件;以及形成在所述覆盖物的一个或多个表面上以及所述衬底的一个或多个表面上的抗蚀涂层,其中所述覆盖物被布置在所述涂层的至少部分与所述衬底的至少部分之间,其中所述抗蚀涂层包括稀土氧化物。
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