[发明专利]一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器有效

专利信息
申请号: 201811226478.0 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109449244B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 王建禄;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/113 分类号: H01L31/113;H01L29/78;H01L29/786
代理公司: 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 代理人: 王志敏
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器,其特征在于,所述光谱探测器包括:衬底、二维半导体、源电极、漏电极、铁电材料、栅电极;所述衬底的上表面设置有所述二维半导体、所述源电极、所述漏电极,所述源电极和所述漏电极分别设置在所述二维半导体的上表面的两端;所述二维半导体的两侧分别与所述源电极的下层金属和所述漏电极的下层金属连接;所述铁电材料设置在所述二维半导体、源电极和漏电极的上表面;所述栅电极的下表面与所述铁电材料的上表面连接。基于二维半导体和铁电材料的多功能互补来实现超宽光谱响应。
搜索关键词: 一种 二维 半导体 材料 功能 互补 型超宽 光谱 探测器
【主权项】:
1.一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器,其特征在于,所述光谱探测器包括:衬底(1)、二维半导体(2)、源电极(3)、漏电极(4)、铁电材料(5)、栅电极(6);所述衬底(1)的上表面设置有所述二维半导体(2)、所述源电极(3)、所述漏电极(4),所述源电极(3)和所述漏电极(4)分别设置在所述二维半导体(2)的上表面的两端;所述源电极(3)和所述漏电极(4)均包括上层金属和下层金属,所述上层金属的厚度大于所述下层金属的厚度;所述二维半导体(2)的两侧分别与所述源电极(3)的下层金属和所述漏电极(4)的下层金属连接;所述铁电材料(5)设置在所述二维半导体(2)、所述源电极(3)和所述漏电极(4)的上表面;所述栅电极(6)的下表面与所述铁电材料(5)的上表面连接。
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