[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811227029.8 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110021596B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;洪世基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及第一晶体管和第二晶体管，分别形成在第一区域和第二区域中。第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层。第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层。第一晶体管的阈值电压绝对值小于第二晶体管的阈值电压，第二栅极绝缘层不包括镧基材料，第一TiN层的一部分的氧含量大于第二TiN层的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；以及第一晶体管和第二晶体管，分别形成在第一区域和第二区域中，其中，第一晶体管包括位于基底上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且接触第一栅极绝缘层的第一TiN层以及位于第一TiN层上的第一填充层，第二晶体管包括位于基底上的第二栅极绝缘层、位于第二栅极绝缘层上且接触第二栅极绝缘层的第二TiN层以及位于第二TiN层上的第二填充层，其中，第一晶体管的阈值电压绝对值小于第二晶体管的阈值电压，第二栅极绝缘层不包括镧基材料，第一TiN层的一部分的氧含量大于第二TiN层的氧含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
