[发明专利]非易失性存储器装置的制造方法

摘要

在此提供一种非易失性存储器装置的制造方法。此方法包括以下步骤。形成多个隔离结构于基板中，且形成凹陷区于相邻的隔离结构之间。顺应性地形成导电层及牺牲层于隔离结构及基板上。位于凹陷区中的牺牲层定义出凹部。进行第一化学机械研磨工艺，以部分地移除牺牲层，且暴露出隔离结构上方的导电层。进行第二化学机械研磨工艺，以部分地移除导电层，且暴露出隔离结构的顶表面。进行第三化学机械研磨工艺，以完全移除牺牲层。在第三化学机械研磨工艺之后，导电层的顶表面齐平于隔离结构的顶表面。通过本发明实施例所提供的方法，可改善非易失性存储器装置的良率及可靠度，且可减少光罩及显影工艺，从而提供较简化的工艺且降低生产所需的时间与成本。