[发明专利]一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法在审
申请号: | 201811228392.1 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN109136859A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李炳生;宋东雨;李丽;李林;余立冬 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法,涉及一种优化工艺制备高透光率氧化镓薄膜的方法。本发明通过优化制备工艺,明显提高了氧化镓薄膜的光学性质,克服了透光率低的技术问题。本发明通过引入低温缓冲层的方法得到了高透光率的氧化镓薄膜,透光率高达90%以上。 | ||
搜索关键词: | 氧化镓 薄膜 高透光率 透光率 制备 优化制备工艺 低温缓冲层 工艺制备 光学性质 引入 优化 | ||
【主权项】:
1.一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法,其特征在于所述方法步骤如下:步骤一、清洗衬底;步骤二、制备缓冲层,制备方法包括:磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积、电子束蒸发等方法来实现。其中脉冲激光沉积制备缓冲层的具体步骤如下:(1)、把氧化镓靶材安装在脉冲激光沉积靶上,然后把步骤一清洗好的衬底放置于真空室的控制台上,开始抽真空至一定真空度,并加热衬底至一定温度,通入溅射气体,使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、用挡板遮住衬底,在一定功率的脉冲激光条件下进行预沉积一定时间,打开衬底挡板,在一定功率的脉冲激光条件下进行正式沉积一定时间,得到一定厚度的氧化镓薄膜缓冲层;步骤三、制备氧化镓薄膜的方法包括:磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积,电子束蒸发等方法来实现。其中脉冲激光沉积氧化镓薄膜的具体步骤如下:(1)、用挡板遮住衬底,将步骤二得到的氧化镓薄膜缓冲层加热至一定温度,加热过程中,一直保持溅射气体的通入,使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、打开衬底挡板,在一定功率的脉冲激光条件下进行沉积一定时间,得到一定厚度高透光率的氧化镓薄膜。
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