[发明专利]一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201811228392.1 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN109136859A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 李炳生;宋东雨;李丽;李林;余立冬 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/02;C23C14/54;C23C14/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法,涉及一种优化工艺制备高透光率氧化镓薄膜的方法。本发明通过优化制备工艺,明显提高了氧化镓薄膜的光学性质,克服了透光率低的技术问题。本发明通过引入低温缓冲层的方法得到了高透光率的氧化镓薄膜,透光率高达90%以上。
搜索关键词: 氧化镓 薄膜 高透光率 透光率 制备 优化制备工艺 低温缓冲层 工艺制备 光学性质 引入 优化
【主权项】:
1.一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法,其特征在于所述方法步骤如下:步骤一、清洗衬底;步骤二、制备缓冲层,制备方法包括:磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积、电子束蒸发等方法来实现。其中脉冲激光沉积制备缓冲层的具体步骤如下:(1)、把氧化镓靶材安装在脉冲激光沉积靶上,然后把步骤一清洗好的衬底放置于真空室的控制台上,开始抽真空至一定真空度,并加热衬底至一定温度,通入溅射气体,使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、用挡板遮住衬底,在一定功率的脉冲激光条件下进行预沉积一定时间,打开衬底挡板,在一定功率的脉冲激光条件下进行正式沉积一定时间,得到一定厚度的氧化镓薄膜缓冲层;步骤三、制备氧化镓薄膜的方法包括:磁控溅射沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、等离子体增强的化学气相沉积、光辅助或等离子体辅助的有机金属化学气相沉积,电子束蒸发等方法来实现。其中脉冲激光沉积氧化镓薄膜的具体步骤如下:(1)、用挡板遮住衬底,将步骤二得到的氧化镓薄膜缓冲层加热至一定温度,加热过程中,一直保持溅射气体的通入,使得真空室的压力保持在一定压强。(2)、打开衬底挡板,在一定功率的脉冲激光条件下进行沉积一定时间,得到一定厚度高透光率的氧化镓薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811228392.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top