[发明专利]一种硅/石墨烯中空核壳结构的制备方法在审
| 申请号： | 201811228518.5 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411726A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;张立云;张强 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅/石墨烯中空核壳结构的制备方法。将Si纳米球和浓氨水放入水和乙醇的溶液中超声均匀，再加入四乙氧基硅烷，室温下搅拌反应，离心清洗得到Si/SiO2核壳结构；采用CVD法在氢气、氩气与甲烷的氛围中生长石墨烯，生成Si/SiO2/石墨烯核壳结构，放入与其尺寸相当的石墨烯分散液中搅拌，石墨烯层变厚，用HF酸刻蚀掉SiO2，得到硅/石墨烯中空核壳结构。本发明所述方法得到中空核壳结构可有效缓解硅的体积膨胀，褶皱石墨烯增加了复合材料的弹性与韧性，可进一步缓解硅的体积膨胀，石墨烯层导电性能好于还原氧化石墨烯，耗能低，易控制，合成步骤简单，适于工业或实验室操作。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 壳结构 中空核 核壳结构 石墨烯层 体积膨胀 放入 制备 还原氧化石墨烯 石墨烯分散液 四乙氧基硅烷 褶皱 导电性能 合成步骤 搅拌反应 离心清洗 有效缓解 氢气 氩气 复合材料 纳米球 浓氨水 酸刻蚀 甲烷 乙醇 超声 耗能 缓解 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅/石墨烯中空核壳结构的制备方法，包括如下步骤：(1)将Si纳米球和浓氨水放入水和乙醇的溶液中超声均匀，再加入四乙氧基硅烷，室温下搅拌反应，离心清洗得到Si/SiO2核壳结构，或者将Si纳米球放入CVD管式炉中，在空气气氛下加热，直接得到Si/SiO2核壳结构；(2)将Si/SiO2核壳结构放入管式炉中，在空气中800℃处理1h，然后采用CVD法在氢气、氩气与甲烷的氛围中生长石墨烯，生成Si/SiO2/石墨烯核壳结构，将Si/SiO2/石墨烯核壳结构放入与其尺寸相当的石墨烯分散液中，搅拌，石墨烯层变厚，用HF酸刻蚀掉SiO2，得到硅/石墨烯中空核壳结构。
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