[发明专利]三维存储器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其形成方法。三维存储器的形成方法包括：首先，形成一脊状叠层，脊状叠层包括多个导电条带，多个导电条带沿着第一方向叠层于一基材上，且沿着第二方向延伸。接着，沿着第三方向叠层于脊状叠层的垂直侧壁上以形成存储层，存储层包括沿着第一方向延伸的一窄侧壁且具有一长边。之后，在存储层上形成一个通道层，使通道层沿着第三方向叠层于存储层上，且包括一个窄侧壁，窄侧壁具有沿着第一方向延伸的一个长边。此后，形成一覆盖层，覆盖层以第一方向叠层于脊状叠层上，覆盖存储层与通道层。后续，形成导电连接层，导电连接层沿着第二方向叠层于窄侧壁上。