[发明专利]氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法有效
| 申请号： | 201811230289.0 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109585647B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李颖 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王蕊转 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：步骤1，制备氧化镍凝胶薄膜；步骤2，在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜，得氧化钛/氧化镍基片；步骤3，在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜，得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜；步骤4，使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备，即得。使用本发明的制备方法可以在ITO底电极上一次性制得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 多层 异质结忆阻器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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