[发明专利]分裂栅结构的制造方法在审
| 申请号： | 201811231545.8 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081537A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌;张文文;许超奇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分裂栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；向沟槽内填充多晶硅；以设计厚度在沟槽内的多晶硅表面形成掩膜层；定量刻蚀所述掩膜层，刻蚀掉的厚度至少为所述设计厚度，以使得表面为平面的多晶硅表面裸露、且多晶硅表面凹陷部的掩膜层因厚度大于所述设计厚度而残留并作为形貌调整掩膜；向下刻蚀沟槽内的多晶硅，直至所述形貌调整掩膜从多晶硅上脱离；将脱离的形貌调整掩膜移除，沟槽内的多晶硅作为分裂栅的底层多晶硅。本发明的形貌调整掩膜在刻蚀多晶硅的过程中作为刻蚀的阻挡结构，使得凹陷处多晶硅的刻蚀速度小于其他位置多晶硅的刻蚀速度，从而最终获得表面较为平坦的底层多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 分裂 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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