[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201811233017.6 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109411484A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 孙立志;徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板，包括基板、遮光层以及薄膜晶体管；其中，遮光层上形成有一开口向上的凹槽，且该薄膜晶体管位于凹槽内。实施本发明，通过遮光层上的凹槽设计，能够完全避免光线进入多晶硅层，从而消除光对多晶硅层的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 遮光层 薄膜晶体管 多晶硅层 开口向上 显示装置 基板 制备 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，包括基板（1）、遮光层（2）以及薄膜晶体管；其特征在于，所述遮光层（2）上形成有一开口向上的凹槽（21），且所述薄膜晶体管位于所述凹槽（21）内。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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