[发明专利]一种高平衡性的反向片上电容对结构在审
| 申请号： | 201811233799.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109522608A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 侯德彬;李焕波;严蘋蘋;陈继新;洪伟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L23/64 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高平衡性的反向片上电容对结构，包括一对反向放置的电容单元。由于在毫米波频段电路中，电容被大量应用于匹配网络，电容的不对称性会影响到匹配网络的特性，其中片上变压器作为差分电路中常见的器件对电容的不对称性较为敏感。而本发明解决了传统单MOM电容在毫米波及更高频段下由衬底等寄生效应导致的不对称性，大幅度提高了电容作为二端口无源器件的对称性，提高了包含片上变压器的无源网络的平衡性。本发明具有并联串联两种连接方式，具有更高的拓展性。本发明可以与片上变压器等元件联合优化，提高差分电路的平衡性，并实现阻抗匹配等功能，从而提高毫米波及更高频率的电路性能，包括功率放大器的输出功率和能量转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 平衡性 片上变压器 不对称性 差分电路 匹配网络 片上电容 能量转化效率 功率放大器 毫米波频段 电路性能 电容单元 反向放置 寄生效应 联合优化 连接方式 输出功率 无源器件 无源网络 阻抗匹配 二端口 高频段 高频率 拓展性 并联 衬底 串联 电路 敏感 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高平衡性的反向片上电容对结构，其特征在于：包括一对反向放置的电容单元。
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