[发明专利]一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法

摘要

本发明涉及一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，先利用野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质制作霍山石斛共生菌次生代谢产物，然后利用霍山石斛共生菌次生代谢产物制备营养培养基，利用营养培养基对霍山石斛种子进行培养、萌发。本发明所述技术方案，能够显著缩短霍山石斛种子的萌发生长时间，只需要35天种子即可萌发，萌发率达到90％以上。该方法简单易行，成本低，可以有效减少霍山石斛种苗的培育成本。

主权项

1.一种霍山石斛种子快繁增加萌发率的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一、霍山石斛共生菌次生代谢产物的获得在野外环境下取正常生长的霍山石斛植株根及根部附近的腐殖质，用无菌水浸泡3小时后，用双层纱布过滤，取滤液用微生物万能培养基摇瓶培养12小时；之后静置2小时取上清液备用；步骤二、营养培养基的制作用1/2MS培养基添加土豆泥、琼脂、葡萄糖、霍山石斛共生菌次生代谢产物上清液，PH调至5.8即得所述营养培养基；步骤三、种子处理选取饱满的未裂开的种子进行外植体消毒；步骤四、接种方法在无菌操作的环境下，用手术刀切开霍山石斛果荚的尾部，然后用镊子夹住果荚的上端，将果荚里面的种子均匀的撒到营养培养基上面，结束后盖好盖子，用手轻轻拍打瓶子，使种子与营养培养基充分接触；步骤五、培养方法将接种好的培养瓶，放置在培养架上，温度设定为为26～28℃，避光培养一周，然后放置在光照强度为2500lux，温度为25℃的培养架上培养10天，种子即可萌发发绿，25±1天后即可作增殖或者诱导。