[发明专利]半导体器件和制造方法在审

专利信息
申请号: 201811235977.6 申请日: 2018-10-23
公开(公告)号: CN109698180A 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克 申请(专利权)人: 安世有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L25/07;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;李荣胜
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 本公开涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括:布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片,第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触;第一裸片连接部分和第二裸片连接部分,布置在相应的第一载体和第二载体上,所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触;以及第一接触连接构件,从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分,第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
搜索关键词: 半导体裸片 半导体器件 裸片 主表面 接触连接 载体连接 电连接 制造 延伸
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一半导体裸片和第二半导体裸片(102、104),其布置在相应的第一载体和第二载体(106、108)上,所述第一半导体裸片和第二半导体裸片分别包括布置在相应的所述半导体裸片的顶部主表面上的第一接触(110、112)和第二接触(114、116)以及布置在相应的所述半导体裸片的底部主表面上的第三接触(118、120);第一裸片连接部分和第二裸片连接部分(130、132),其布置在相应的所述第一载体和第二载体(106、108)上,所述第一载体和第二载体(106、108)连接到相应的所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的所述第三接触;以及第一接触连接构件(134),其从所述第一半导体裸片的所述第一接触延伸到第二载体的所述裸片连接部分,使得所述第一半导体裸片的所述第一接触电连接到所述第二半导体裸片的所述第三接触。
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