[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811237850.8 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109584933B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 小川大也;伊藤孝;友枝光弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中，在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时，当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件，以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时，结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多个存储器单元晶体管，其各自具有电荷蓄积部，根据与所述电荷蓄积部的电荷量对应的阈值电压的变化来存储数据；布线，其与被分为n个组的所述多个存储器单元晶体管中的、属于相同组的各晶体管的一个电极连接；电压生成部，其与所述布线连接，在基于带间隧穿方式进行的擦除动作时生成向所述布线供给的升压电压；检测部，其检测从所述电压生成部供给的所述升压电压，并将该升压电压与由基准电压产生电路生成的基准值进行比较；和控制部，其在所述擦除动作时控制供给所述升压电压的定时，所述控制部，在从开始所述升压电压的供给起经过规定的第1基准时间，并且，在所述检测部进行比较而显示所述升压电压为所述基准值以上的情况下，使所述升压电压的供给结束。
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