[发明专利]一种淡化光刻图案边缘痕迹的方法有效
申请号: | 201811242387.6 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109270787B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 孙代东 | 申请(专利权)人: | 青岛嘉泽包装有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 青岛海知誉知识产权代理事务所(普通合伙) 37290 | 代理人: | 张晓琳 |
地址: | 266107 *** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种淡化光刻图案边缘痕迹的方法,包括以下步骤:一、按照与印刷图案1:1的比例确定光刻专版定位纸上光刻图案的外形大小;二、将光刻图案向外扩边X1,扩边X1的大小由光刻专版定位纸预估的变形量的大小确定;三、在扩边X1的基础上再次扩边X2;四、对预留的扩边X2进行渐变处理;五、对步骤四渐变部分进行栅格化处理;六、对步骤五栅格化处理后的光刻图案进行光刻,形成母版,然后再拓片生成子版;七、将子版按照设计好的位置定位拼制到大版模压版上进行生产加工,加工工艺简单,极大的美化了视觉效果;可以允许有更大的移位偏差,避免套位漏底,提高了产品合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 淡化 光刻 图案 边缘 痕迹 方法 | ||
【主权项】:
1.一种淡化光刻图案边缘痕迹的方法,其特征在于:包括以下步骤:按照与印刷图案1:1的比例确定光刻专版定位纸上光刻图案的外形大小;将光刻图案向外扩边X1,扩边X1的大小由光刻专版定位纸预估的变形量的大小确定;在扩边X1的基础上再次扩边X2,再次扩边的距离X2是为后期做边缘淡化时预留的处理距离;对预留的扩边X2进行渐变处理;对步骤四渐变部分进行栅格化处理,使光刻图案分解成一个主图案加上若干个边缘碎片图案组成;对步骤五栅格化处理后的光刻图案进行光刻,形成母版,然后再拓片生成子版;将子版按照设计好的位置定位拼制到大版模压版上进行生产加工,淡化部分的背景色选取与光刻部位相邻地方相同的背景色。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛嘉泽包装有限公司,未经青岛嘉泽包装有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811242387.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种掩膜板
- 下一篇:一种光罩和显示面板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备