[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811242525.0 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698236B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 山田文生 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;卢吉辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种实现场板的半导体装置。半导体装置包括源电极、栅电极和漏电极；绝缘膜，至少覆盖漏电极；场板，包括与栅电极重叠的第一部分和不与栅电极重叠的第二部分；以及与源电极连接的源极互连件。本发明的半导体装置的特征在于第一部分和第二部分均与源极互连件电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：各自沿纵向延伸的源电极、栅电极和漏电极；绝缘膜，其至少覆盖所述栅电极并在所述栅电极和所述漏电极之间延伸；场板，其具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述栅电极重叠，所述绝缘膜插入在所述第一部分与所述栅电极之间，所述第二部分不与所述栅电极重叠并在所述栅电极和所述漏电极之间的所述绝缘膜上延伸；以及源极互连件，其与所述源电极电连接并从所述源电极延伸，其中，所述第一部分和所述第二部分与所述源极互连件电连接。
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