[发明专利]半导体功率器件的并行测试方法有效
申请号: | 201811242619.8 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109473361B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 陈飞;杨宇;许晨阳;都俊兴;李博强;周杰 | 申请(专利权)人: | 深圳赛意法微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/66 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 赵赛;蔡碧慧 |
地址: | 518038 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开半导体功率器件的并行测试方法,其用于在封装测试工序中,通过芯片封装测试装置对整条引线框架上的半导体功率器件进行并行测试,所述芯片封装测试装置包括测试头(100)、测试支架(110)、和操作机台(111)。所述并行测试方法包括以下步骤:预切筋步骤S1,芯片固定步骤S2,探针排列步骤S3,回路建立步骤S3,器件分组步骤S4,并行测试步骤S5:所述开关控制模块(108)的开关控制位按乒乓测试模式控制对在所述A组测试站上的半导体功率器件进行并行测试;在完成A组测试后,所述开关控制模块(108)的开关控制位按乒乓测试模式控制对在所述B组测试站上的半导体功率器件进行并行测试。本发明达到了提高测试效率的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 半导体 功率 器件 并行 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体功率器件的并行测试方法,其用于在封装测试工序中,通过芯片封装测试装置对整条引线框架上的半导体功率器件进行并行测试,其中,所述半导体功率器件是分布在所述引线框架上的已模封成型的封装单元;所述芯片封装测试装置包括测试头(100)、测试支架(110)、和操作机台(111),其中,所述测试头(100)包括接触电路板(101)、主控电路板(102)、TIB测试资源接口板(103)、可编程负载加载板(104)、和探针接触装置(105),所述主控电路板(102)还包括DCS集成模块电路板(106)和开关控制模块(108),所述测试支架(110)用于支承和固定所述测试头(100),并保证所述操作机台(111)与所述测试头(100)之间的相对定位,所述操作机台(111)包括条式芯片托盘(112);所述探针接触装置(105)包括多个探针(1051)和托架(1052),其中,所述探针(1051)装配在所述托架(1052)上;所述接触电路板(101)具有与所述引线框架上的所有封装单元的所有芯片引脚同时电性连接的铜箔印刷电路接触点;其特征在于:所述并行测试方法包括以下步骤:预切筋步骤S1:将每个所述封装单元的部分芯片引脚与所述引线框架切割分离,且每个封装单元的另一部分芯片引脚与所述引线框架保持相连;芯片固定步骤S2:将所述引线框架固定安装在所述操作机台(111)的条式芯片托盘(112)上;所述探针(1051)排列步骤S3:将所述探针接触装置(105)的多个所述探针(1051)组成探针阵列,所述探针(1051)之间的间隔尺寸与所述引线框架上的封装单元的芯片引脚之间的间隔尺寸在横向和纵向上相匹配,并且使每个所述探针(1051)的第二端部与所述接触电路板(101)的相应的铜箔印刷电路接触点电性连接;回路建立步骤S3:所述探针(1051)采用平台接触方式,且与所述封装单元的芯片引脚电性相连,从而,所述引线框架上的所有封装单元的所有芯片引脚与相应的所述探针(1051)的第一端部电性连接,进而为所述引线框架上的每个所述半导体功率器件建立测试回路,在所述测试头(100)中,每个所述半导体功率器件的测试回路对应一个测试站;器件分组步骤S4:将已建立测试回路的所述测试站分成两组:A组测试站和B组测试站,其中,所述A组测试站的序号为奇数,其等于(2×I‑1),所述B组测试站的序号为偶数,其等于(2×I),且I≥1;并行测试步骤S5:所述开关控制模块(108)的开关控制位按乒乓测试模式控制所述A组测试站处于待测试状态,所述测试头(100)对在所述A组测试站上的半导体功率器件进行并行测试;在完成A组测试后,所述开关控制模块(108)的开关控制位按乒乓测试模式控制所述B组测试站处于待测试状态,所述测试头(100)对在所述B组测试站上的半导体功率器件进行并行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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