[发明专利]用于量子集成电路的基板转移的单晶电介质

摘要

一种用于制造用于量子集成电路(特别是超导量子集成电路)的电容器结构的方法，包括：提供第一晶圆结构，第一晶圆结构包括第一基板；提供第二晶圆结构，第二晶圆结构包括第二基板、第二基板上的异质结构，所述异质结构包括埋设的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的电介质层以及沉积在异质结构的蚀刻停止层上的第二金属膜；通过使用第二金属膜作为粘合介质将第一晶圆结构和第二晶圆结构粘合在一起，从而形成夹在第一基板和第二基板之间的粘合层叠层，所述粘合层叠层包括所述埋设的蚀刻停止层、电介质层和第二金属膜；从第二晶圆结构剥离第二基板，在埋设的蚀刻停止层上停止；从粘合层叠层选择性地移除埋设蚀刻停止层，从而暴露第二晶圆的电介质层；在第二晶圆的暴露的电介质层上形成顶部电极层；将多个平行沟槽构图到第二金属膜中；其中构图步骤要么是在粘合步骤之前执行的，要么是在顶部电极层形成之后执行的，其中平行沟槽延伸通过顶部电极层和粘合层叠层。

主权项

1.一种用于制造用于量子集成电路，特别是超导量子集成电路的电容器结构(100)的方法，包括：提供第一晶圆结构(A)，所述第一晶圆结构(A)包括第一基板(11)；提供第二晶圆结构(B1、B2)，所述第二晶圆结构(B1、B2)包括第二基板(7、27)、第二基板(7、27)上的异质结构(H1、H2)，所述异质结构(H1、H2)包括埋设的蚀刻停止层(5、25)、蚀刻停止层(5、25)上的电介质层(3、23)以及沉积在异质结构(H1、H2)的电介质层(3、23)上的第二金属膜(1、12)；通过使用第二金属膜(1、21)作为粘合介质将第一晶圆结构(A)和第二晶圆结构(B1、B2)粘合在一起，从而形成夹在第一基板(11)和第二基板(7、27)之间的粘合层叠层(BLS1、BLS2)，所述粘合层叠层(BLS1、BLS2)包括所述埋设蚀刻停止层(5、25)、电介质层(3、23)和第二金属膜(1、12)；从第二晶圆结构(B1、B2)剥离第二基板(7、27)，在埋设蚀刻停止层(5、25)上停止；从粘合层叠层(BLS1、BLS2)选择性地移除埋设蚀刻停止层(5、25)，从而暴露第二晶圆(S、E)的电介质层(3、23)；在第二晶圆(S、E)的暴露的电介质层(3、23)上形成顶部电极层(13、29)；将多个平行沟槽构图到第二金属膜(1、12)中；其中，所述构图步骤要么是在粘合步骤之前执行的，要么是在顶部电极层(13、29)形成之后执行的，其中所述平行沟槽延伸通过顶部电极层(13、29)和粘合层叠层(BLS1、BLS2)。