[发明专利]低势垒高度肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种低势垒高度肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极；5)去除肖特基结所在区域之外的氟化石墨烯绝缘层；6)于裸露的基底表面形成欧姆接触电极。本发明利用氟化石墨烯绝缘层作为金属电极与基底之间的插层，氟化石墨烯绝缘层不会在基底中产生MIGS钉扎效应；氟化石墨烯绝缘层可以阻挡金属电极与基底之间的互相扩散，可以形成均匀性极高的肖特基结面；可以大大降低金属电极对基底的费米能级钉扎效应，从而降低肖特基二极管中基底与金属电极之间形成的肖特基结势垒高度。

主权项

1.一种低势垒高度肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述低势垒高度肖特基二极管的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于所述基底的表面形成石墨烯薄膜；3)对所述石墨烯薄膜进行氟化处理以形成氟化石墨烯绝缘层；4)于所述氟化石墨烯绝缘层表面沉积金属电极，以于所述金属电极与所述基底之间形成肖特基结；5)去除所述肖特基结所在区域之外的所述氟化石墨烯绝缘层，并裸露出所述基底；6)于裸露的所述基底表面形成欧姆接触电极。