[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

摘要

本发明适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，阵列基板的制作方法包括在源漏极金属层的湿蚀刻工艺后对导状光阻图案进行第一次灰化，岛状光阻图案包括第一部分和位于第一部分两侧的两个第二部分，第二部分的高度大于第一部分的高度，使岛状光阻图案的边缘与源漏极金属段的边缘对齐。本发明通过对岛状光阻图案增加第一次灰化工艺，使其边缘与湿蚀刻后的源漏极金属段的边缘对齐，当对源漏极金属层下方的半导体材料层进行干蚀刻时，能够使半导体材料层的边缘与源漏极金属层的边缘接近甚至对齐，降低有源层的带尾长度，防止有源层的两侧被光线照射到而产生光漏电流，保证了像素电压的稳定以及画面显示的质量。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。