[发明专利]氧化铝膜制备装置

摘要

本发明公开了一种能够直接将液态三甲基铝作为原料供应的氧化铝膜制备装置。该装置包括真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，进气口上连接有用于通入制程气体的进气装置，通过对进气装置进行改进，增加蒸发器，先将液态的三甲基铝蒸发成气态后再用氩气裹带气态的三甲基铝并和一氧化二氮混合后进入真空沉积室即可，无需在进行镀膜之前事先对液态的三甲基铝进行气态话，减少了气态三甲基铝的存储和运输难题，直接在真空沉积过程中一边转化一边使用，其安全性大大提高，而且减少了工序和工人的工作量，提高了镀膜效率。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

主权项

1.氧化铝膜制备装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述真空沉积室(2)内设置有进气主管(6)和排气主管(7)，所述进气主管(6)水平设置在石墨舟(3)上方，所述进气主管(6)与进气口(4)连通，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气装置(8)，所述排气主管(7)水平设置在石墨舟(3)下方，所述排气主管(7)与排气口(5)连通，所述排气口(5)上连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排气口(5)连通，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，其特征在于：所述进气装置(8)包括一氧化二氮导气管(801)、氩气导气管(802)、三甲基铝导液管(803)，所述一氧化二氮导气管(801)末端与进气口(4)连通，所述一氧化二氮导气管(801)上设置有一氧化二氮气体流量计(804)，所述三甲基铝导液管(803)的末端连接有蒸发器(805)，所述三甲基铝导液管(803)上设置有三甲基铝液体流量计(806)，所述氩气导气管(802)与蒸发器(805)连通，所述氩气导气管(802)上设置有氩气气体流量计(807)，所述蒸发器(805)的出口与进气口(4)连通。