[发明专利]金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811245314.2 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111092113B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张渊舜 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙) 11328 | 代理人： | 钱莺勤;汪恺 |
| 地址： | 中国台湾新北市新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金氧半场效应晶体管的终端区结构及其制造方法，其中的制造方法依序包含下列步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包含衬底以及外延层，外延层形成于衬底上方；于外延层上形成掺杂区；于掺杂区形成多个沟渠环，沟渠环穿过掺杂区进入到外延层；形成栅极氧化层于各沟渠环内；以多晶硅沉积于栅极氧化层上方；进行多晶硅回蚀刻而于各沟渠环的二个侧壁形成自对准的二个岛状多晶硅区，二个岛状多晶硅区互不接触；形成绝缘氧化层于各沟渠环内，绝缘氧化层覆盖于二个岛状多晶硅区上方；以及覆盖金属层于掺杂区，并对金属层进行图形布建以形成不连续金属层。本发明的金氧半场效应晶体管的终端区结构具有中高压崩溃电压且不受沟渠环深度影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半场 效应 晶体管 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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