[发明专利]瞬态电压抑制器

摘要

本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括一连接第一节点的重掺杂基板、一形成于重掺杂基板上的第一掺杂层、一形成于第一掺杂层上的第二掺杂层、形成于第二掺杂层中的第一重掺杂区与第二重掺杂区以及多个形成于重掺杂基板中以作为电性隔离的沟槽。其中，第一重掺杂区与第二重掺杂区共同连接一第二节点，沟槽的深度不小于第一掺杂层的深度。重掺杂基板、第二掺杂层、以及第二重掺杂区为第一半导体型。第一掺杂层与第一重掺杂区为第二半导体型。本发明可将pn接面成功地控制于元件的表面底下，由此降低瞬态电压抑制器的接面电容值。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：一重掺杂基板，为一第一半导体型，该重掺杂基板电性连接于一第一节点；一第一掺杂层，为一第二半导体型，该第一掺杂层形成于该重掺杂基板上；一第二掺杂层，为该第一半导体型，该第二掺杂层形成于该第一掺杂层上；一第一重掺杂区，为该第二半导体型，该第一重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第一重掺杂区电性连接于一第二节点；一第二重掺杂区，为该第一半导体型，该第二重掺杂区形成于该第二掺杂层中，且该第二重掺杂区电性连接于该第二节点；以及多个沟槽，形成于该重掺杂基板中，且每一该沟槽的深度不小于该第一掺杂层的深度，其中，该第一重掺杂区与该第二重掺杂区之间设置有至少一该沟槽，以作为电性隔离。