[发明专利]基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺有效
| 申请号： | 201811246208.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109342836B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;薛芬;韩志飞;刘洋;王善祥;庄池杰;曾嵘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺，包括硅基晶片加工步骤、玻璃加工步骤、组合装配步骤。其有益效果是：采用微加工技术，可以实现电场传感器的小体积复杂结构，进而减小传感器本身对外电场的畸变影响；本发明对于传感器不同界面采用不同键合方式，对于不同结构采用针对性的微加工工艺，对于不同加工步骤采用可兼容的加工流程，有利于提高传感器的可靠性与实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压电 压阻式 宽频 场强 微型 电场 传感器 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺，包括硅基晶片加工步骤、玻璃加工步骤、组合装配步骤，其特征在于，所述硅基晶片加工步骤中，包括刻蚀对准标记步骤、离子注入及激活步骤、腐蚀体硅步骤、释放欧姆接触区及薄膜表面步骤、蒸发电极步骤、暴露打线区域步骤，所述玻璃加工步骤中，包括玻璃刻槽步骤、玻璃蒸发电极步骤、打线区域加厚步骤、玻璃穿孔步骤，所述组合装配步骤中，包括阳极键合步骤、装配步骤、打线步骤。
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