[发明专利]嵌入式电容及其制备方法有效
| 申请号： | 201811248544.4 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109302797B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;赖韬;张昱 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | H05K1/16 | 分类号： | H05K1/16;H01G4/00;H01G4/08;H01G4/20 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍;刘杉 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种嵌入式电容，属于嵌入式电子元件技术领域。该嵌入式电容，包括介电复合层、层叠于所述介电复合层两侧的无机介电层、以及层叠于所述无机介电层外侧的铜层；所述介电复合层由粉体和树脂的混合物制成；所述无机介电层为无机介电粉体层或金属氧化薄膜层，所述无机介电粉体层主要由粉体制成，所述金属氧化薄膜层主要由二氧化钛或氧化铝制成；所述铜层设有电容图案；所述粉体选自钛酸钡或钛酸锶中的至少一种。该嵌入式电容通过介电复合层和无机介电层的配合，极大降低了气泡对电容元器件的影响，避免了气泡引起的薄介电层易被击穿导致电容失效的问题，达到了增强击穿电压、提高使用寿命的优异效果。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式电容，其特征在于，包括介电复合层、层叠于所述介电复合层两侧的无机介电层、以及层叠于所述无机介电层外侧的铜层；所述介电复合层主要由粉体和树脂的混合物制成；所述无机介电层为无机介电粉体层或金属氧化薄膜层，所述无机介电粉体层主要由粉体制成，所述金属氧化薄膜层主要由二氧化钛或氧化铝制成；所述铜层设有电容图案；所述粉体选自钛酸钡或钛酸锶中的至少一种。
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