[发明专利]用于引线键合的衬底金属层结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201811249360.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106084B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张鸿鑫;刘国友;罗海辉;谭灿健;冯宇;韩星尧 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/498;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于引线键合的衬底金属层结构以及功率半导体器件，衬底金属层结构自下而上依次包括：衬底；金属层，其设置在该衬底的上表面；以及引线，其设置在该金属层的远离该衬底的表面上并与该金属层形成引线键合；其中，该金属层包括叠置而成的多个子金属层，并且该多个子金属层的表面积自下而上逐渐减小。通过该衬底金属层结构及功率半导体器件，可以成功实现降低引线键合失效率，且金属层应力较小，工艺实现简单，成本较低，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 引线 衬底 金属 结构 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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