[发明专利]方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺有效
| 申请号： | 201811250526.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106015B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 罗雪方;陈文娟;瞿澄;薛水源;罗子杰 | 申请（专利权）人： | 江苏罗化新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种方便CSP焊接的侧壁电极增大制作工艺，包括：将芯片排列成矩阵结构，所述芯片的电极朝上；将白墙膜与芯片进行热压，定高后放置到氮气烤箱中进行烘烤；对芯片的电极表面的白墙膜进行钻孔，对钻孔后的电极表面进行金属沉积外延生长处理，生长方式为磁控溅射、电镀，电铸或者化学镀中的一种或多种；将荧光膜热压到芯片的出光面上并在控制厚度后，将带有荧光膜的工件放置到氮气烤箱中进行烘烤；使用钻石切割刀或者树脂切割刀切割上述工件得到CSP灯珠。本发明采用金属沉积外延生长的方式对芯片的电极进行延伸扩大，有效解决了的倒装芯片中因电极尺寸小而导致的不易贴片和焊接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 方便 csp 焊接 侧壁 电极 增大 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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