[发明专利]处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法有效
申请号: | 201811250812.6 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109712910B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 岩畑翔太;樋口鲇美;藤田惠理;藤谷佳礼;真野雅子;竹松佑介;奥谷洋介 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;金成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法。处理液供给装置包括:供给配管,其输送贮存处理液的处理液箱内的处理液,将从处理液箱输送的处理液供给至处理单元;返回配管,其与供给配管分支连接,使供给配管内的处理液返回处理液箱;第一加热单元,其对在供给配管中设定于比连接有返回配管的分支位置靠上游侧的上游侧被加热部分内的处理液进行加热;第二加热单元,其对在供给配管中设定于比分支位置靠下游侧的下游侧被加热部分内的处理液进行加热;冷却单元,其对设定于返回配管的被冷却部分内的处理液进行冷却;以及第一过滤器,其在比上游侧被加热部分靠上游侧夹装于供给配管,对处理液中的颗粒进行去除。 | ||
搜索关键词: | 处理 供给 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理液供给装置,向处理基板的处理单元供给处理液,其特征在于,包括:供给配管,其输送贮存处理液的处理液箱内的处理液,将从上述处理液箱输送的处理液供给至上述处理单元;返回配管,其与上述供给配管分支连接,使上述供给配管内的处理液返回上述处理液箱;第一加热单元,其对在上述供给配管中设定于比连接有上述返回配管的分支位置靠上游侧的上游侧被加热部分内的处理液进行加热;第二加热单元,其对在上述供给配管中设定于比上述分支位置靠下游侧的下游侧被加热部分内的处理液进行加热;冷却单元,其对设定于上述返回配管的被冷却部分内的处理液进行冷却;以及第一过滤器,其在比上述上游侧被加热部分靠上游侧夹装于上述供给配管,对处理液中的颗粒进行去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造