[发明专利]普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法在审
| 申请号： | 201811251455.5 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109082554A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宋国民 | 申请（专利权）人： | 自贡高科硬质合金有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C29/00;B22F3/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 643010 四川省自贡*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，依次包括以下步骤：将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内，通入惰性气体进行脱蜡；脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结，烧结温度低于共晶点温度10～20℃，保温30～120分钟；抽真空进行二次烧结，采用5‑20℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度1380～1470℃，时间60‑120分钟，降至室温完成烧结。本发明的优点是：采用本方法和常规烧结方法对比，钴磁从4.2升到5.2，第一次烧结产品完成收缩的80％‑90％，晶粒表面能迅速降低，对氧的敏感程度降低，降温后进行第二次真空烧结，二次真空烧结可以通过较快的升温速度，这样尽可能地降低炉内损碳，这样能把内部气体脱除，产品内部孔隙大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 硬质合金 烧结炉 低钴 细晶 惰性气体 真空烧结 脱蜡 烧制 二次烧结 晶粒表面 内部气体 烧结产品 抽真空 共晶点 微正压 放入 后炉 炉内 毛胚 脱除 钴磁 保温 收缩 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.第一次烧结：将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内，抽真空后通入惰性气体进行脱蜡；脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结，烧结温度低于共晶点温度10～20℃，保温30～120分钟；B.第二次烧结：抽真空进行二次烧结，采用5‑20℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度1380～1470℃，时间60‑120分钟，降至室温完成烧结；所述第一次烧结完成时，毛胚完成产品收缩80～90％。
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