[发明专利]能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201811252788.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109412016B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;刘云;冯源;杨静航;逄超 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光，器件体积较大，腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱；在所述空心圆柱中有高阻区；其特征在于，上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域，下电极位于衬底下表面边缘的局部区域，上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 下电极 分布布拉格反射镜 欧姆接触层 空心光 涡旋 垂直腔面发射半导体激光器 几何中心 局部区域 空心圆柱 圆心角 增益区 半导体激光器 相位转换装置 氧化物限制层 衬底下表面 固体激光器 激光器轴线 上表面边缘 技术采用 发射 高阻区 衬底 连线 腔内 相交 输出 | ||
【主权项】：
1.一种能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个具有空心部分的圆柱区域，该圆柱区域的内径为85μm～95μm、外径为115μm～125μm；氧化物限制层(4)的形状为环形，所述环形的宽度为3μm～5μm，所述环形的外径与所述圆柱区域的外径尺寸相同；在所述圆柱区域的空心部分的下面有高阻区(9)，高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)接触，高阻区(9)的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜(3)的内镜面、低于上分布布拉格反射镜(3)的外镜面；其特征在于，上电极(1)位于欧姆接触层(2)上表面边缘的局部区域，下电极(8)位于衬底(7)下表面边缘的局部区域，上电极(1)的几何中心、下电极(8)的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极(1)的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。
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