[发明专利]快恢复二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811256125.5 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111106181B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;朱辉 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了快恢复二极管及其制备方法，该快恢复二极管包括元胞区、围绕所述元胞区设置的主结区和围绕所述主结区设置的终端区，其中，在所述主结区的周向方向上，所述主结区包括多个间隔设置的第一掺杂区，多个所述第一掺杂区与所述元胞区中的有源区同层设置。在主结区中，间隔设置多个第一掺杂区，形成向四周发散的第一掺杂区，在保证耐压功能的同时，有效降低了主结区的电荷注入效率，降低了主结区的电阻率，从而有效改善了电流集边效应，同时，向四周发散的第一掺杂区，大大的减小了主结区所占用的面积，降低了快恢复二极管的成本，还减小了采用该快恢复二极管的封装模块以及应用系统的尺寸和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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