[发明专利]一种功率器件终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811256300.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309120A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市鹏朗贸易有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件终端结构及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底，第一外延层，依次形成于所述第一外延层上表面的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第二外延层,第四沟槽，第三外延层，第四外延层，第五外延层，形成于所述第五外延层上表面的介质层，第一接触孔，第二接触孔，填充于所述第一接触孔和所述第二接触孔内的第一多晶硅层，形成于所述介质层上表面的第二多晶硅层，该结构设置在最小化终端结构长度的情况下，增大了器件耗尽区面积，且不会增加器件的寄生电容，提高了终端结构的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 终端结构 接触孔 上表面 多晶硅层 功率器件 介质层 第一导电类型 寄生电容 结构设置 耗尽区 最小化 衬底 填充 制作 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面依次形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第二沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度；在所述第一沟槽的侧壁形成第二导电类型的第二外延层,从而形成第四沟槽；在所述第二沟槽内填充第二导电类型的第三外延层；在所述第三沟槽内填充第二导电类型的第四外延层；在所述第一外延层上表面和所述第四沟槽内形成第二导电类型的第五外延层；在所述第五外延层上表面形成介质层；刻蚀所述介质层与所述第五外延层形成第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第三外延层上表面连接；刻蚀所述介质层与所述第五外延层形成第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第四外延层上表面连接；在所述第一接触孔和所述第二接触孔内填充第一多晶硅层；在所述介质层上表面形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层的两端分别与两个所述第一多晶硅层上表面连接。
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