[发明专利]自支撑微纳米结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811257763.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109437093A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黄永丹;熊康林;黄增立;许蕾蕾;孙骏逸;冯加贵;武彪;丁孙安;陆晓鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑微纳米结构的制作方法，包括：在衬底上形成牺牲层以及覆盖牺牲层的功能层；在功能层上预设图案化区域，在图案化区域内进行图案化处理，以在功能层中形成露出部分牺牲层的图案部；其中，部分牺牲层为图案化区域在牺牲层的投影范围内的牺牲层；将部分牺牲层去除，获得自支撑微纳米结构。本发明在制作自支撑微纳米结构时，可控性、重复性、成品率较高，能应用的微纳米材料种类较多，而且能够形成的自支撑微纳米结构更加复杂。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 微纳米结构 自支撑 功能层 图案化区域 制作 图案化处理 微纳米材料 预设图案 成品率 可控性 图案部 衬底 去除 投影 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑微纳米结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底(1)上形成牺牲层(2)以及覆盖牺牲层(2)的功能层(3)；在功能层(3)上预设图案化区域，在图案化区域内进行图案化处理，以在功能层(3)中形成露出部分牺牲层(2a)的图案部(3a)；其中，所述部分牺牲层(2a)为所述图案化区域在所述牺牲层(2)的投影范围内的牺牲层；将所述部分牺牲层(2a)去除，获得自支撑微纳米结构。
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