[发明专利]反应腔室及薄膜沉积设备在审
| 申请号： | 201811257769.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111101097A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 贾强;杨玉杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的反应腔室和薄膜沉积设备，包括基座和环绕基座设置的偏置磁体组件，还包括偏置磁体升降机构，其用于驱动偏置磁体组件进行升降运动，因此，偏置磁体组件与靶材之间的距离是可调节的，当进行不同材料及不同工艺要求的沉积时，可以通过调节偏置磁体组件的高度来提高各向异性水平磁场的均匀性，从而扩大反应腔室的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】：
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