[发明专利]包括多个变阻器晶片的过电压保护装置有效

专利信息
申请号: 201811257996.9 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109727739B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 泰恩·塔瓦卡;莎莎·鲁斯蒂亚;爱丽克斯·克鲁索格鲁;乔治·佩珀斯;福蒂斯·西帕帕斯;扎菲尔斯·G·波利蒂斯 申请(专利权)人: RIPD研发有限公司
主分类号: H01C7/12 分类号: H01C7/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张顺涛
地址: 塞浦路斯*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种过电压保护装置包括第一电极构件、第二电极构件和变阻器组件。所述变阻器组件包括:多个变阻器晶片,每个变阻器晶片由变阻器材料形成;以及至少一个导电互连构件,所述至少一个导电互连构件将所述变阻器晶片电并联连接在所述第一电极构件与所述第二电极构件之间。所述变阻器晶片轴向地堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间。
搜索关键词: 包括 变阻器 晶片 过电压 保护装置
【主权项】:
1.一种过电压保护装置,包括:第一电极构件;第二电极构件;和变阻器组件,所述变阻器组件包括:多个变阻器晶片,每个变阻器晶片由变阻器材料形成;和至少一个导电互连构件,所述至少一个导电互连构件将所述变阻器晶片电并联连接在所述第一电极构件与所述第二电极构件之间;和结合剂,所述结合剂将所述变阻器组件中的所述变阻器晶片中的至少两个彼此结合;其中所述变阻器晶片轴向地堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于RIPD研发有限公司,未经RIPD研发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811257996.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top