[发明专利]芯片脱膜方法及装置在审
| 申请号： | 201811261169.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109461681A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 柳燕华;黄浈;张超 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 苏婷婷 |
| 地址： | 214430 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片脱膜方法及装置，所述装置包括：用于辅助芯片脱离与其连接的支撑膜，支撑膜包括对应芯片的第一区域及环绕第一区域的第二区域；其特征在于，芯片脱膜装置包括底座、驱动组件及至少一顶针组件，顶针组件包括远离底座的驱动部，当芯片脱膜装置处于初始状态时，第一区域与第二区域等高；当芯片脱膜装置处于工作过程中时，驱动组件驱动顶针组件运动而使得驱动部作用第一区域相对第二区域朝远离底座的一侧运动，芯片逐渐脱离支撑膜。本发明的芯片脱膜方法及装置，通过顶针组件使连接芯片的支撑膜的高度产生变化，进而间接使芯片脱离其连接的支撑膜，降低芯片顶裂的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片脱膜 支撑膜 第一区域 顶针组件 第二区域 芯片 底座 驱动组件 驱动 脱离 辅助芯片 连接芯片 等高 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种芯片脱膜装置，用于辅助芯片脱离与其连接的支撑膜，所述支撑膜包括对应芯片的第一区域及环绕所述第一区域的第二区域；其特征在于，所述芯片脱膜装置包括底座、驱动组件及至少一顶针组件，所述顶针组件包括远离所述底座的驱动部，当所述芯片脱膜装置处于初始状态时，所述第一区域与所述第二区域等高；当所述芯片脱膜装置处于工作过程中时，所述驱动组件驱动所述顶针组件运动而使得所述驱动部作用所述第一区域相对所述第二区域朝远离所述底座的一侧运动，所述芯片逐渐脱离所述支撑膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
