[发明专利]带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811266451.4 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN110426761B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 刘永顺;连高歌;张平;吴一辉 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G02B3/00 分类号: G02B3/00;G03F7/00;G02B1/04
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 吴乃壮
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列及其制备方法。本发明公开制备方法包括步骤:S101、采用光刻法利用第一光刻掩膜版在硅片基底表面形成第一光刻胶掩膜;S102、在硅片基底上刻蚀出硅片微孔阵列;S103、将所述硅片微孔阵列上铺设环烯烃共聚物层后,进行热压处理,得到第一环烯烃共聚物阵列;S104、采用反相光刻法利用第二光刻掩膜版在所述环烯烃共聚物阵列上形成第二光刻胶掩膜得到第二环烯烃共聚物阵列;S105、在所述第二环烯烃共聚物阵列的结构面蒸镀一层金属,得到第三环烯烃共聚物阵列;S106、将所述第三环烯烃共聚物阵列放入丙酮液中,得到带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列。
搜索关键词: 带有 金属 光阑 烯烃 共聚物 透镜 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法,其特征在于,包括步骤:S101、采用光刻法利用第一光刻掩膜版在硅片基底上形成第一光刻胶掩膜;S102、采用刻蚀法在所述硅片基底上刻蚀出硅片微孔阵列;S103、在所述硅片微孔阵列上铺设环烯烃共聚物层,进行热压处理,冷却,将硅片微孔阵列和环烯烃共聚物层分离,得到第一环烯烃共聚物阵列;S104、利用第二光刻掩膜版在所述第一环烯烃共聚物阵列的结构面上形成第二光刻胶掩膜,并得到第二环烯烃共聚物阵列,所述第二光刻掩膜版和所述第一光刻掩膜版互为反相掩膜版;S105、在所述第二环烯烃共聚物阵列的结构面蒸镀金属,得到第三环烯烃共聚物阵列;S106、将所述第三环烯烃共聚物阵列放入丙酮液中,溶解去除第二光刻胶掩膜,得带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列。
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