[发明专利]二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n‑型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、电流开关比大、响应速度快。

主权项

1.二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器，其特征在于：以n‑型硅基底(2)作为所述光电探测器的基区，在所述n‑型硅基底(2)的下表面设置n‑型硅基底电极(1)；在所述n‑型硅基底(2)的上表面覆盖绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述n‑型硅基底(2)面积的1/5到4/5，所述绝缘层(3)的边界不超出所述n‑型硅基底(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖二硒化钯接触电极(4)，所述二硒化钯接触电极(4)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界；在所述二硒化钯接触电极(4)上铺设二硒化钯薄膜(5)，所述二硒化钯薄膜(5)一部分与二硒化钯接触电极(4)接触，剩余部分与n‑型硅基底(2)上表面未覆盖绝缘层(3)的部分接触，所述二硒化钯薄膜(5)的边界不超出所述n‑型硅基底(2)的边界；所述二硒化钯薄膜(5)与二硒化钯接触电极(4)为欧姆接触，所述二硒化钯薄膜(5)与n‑型硅基底(2)形成异质结。